La Lý Nguyên1, 2, 3, Lâm Hoàng Hảo2, Lê Viết Hải2, Nguyễn Nhật Kim Ngân2, Nguyễn Tiến Cường4, Lưu Anh Tuyên1, Phan Trọng Phúc1, Huỳnh Trúc Phương2, Lê Quang Luân5, Nguyễn Thị Ngọc Huệ1, Trần Duy Tập2*
*Tác giả liên hệ: Email: tdtap@hcmus.edu.vn
1Trung tâm Hạt nhân TP Hồ Chí Minh, Viện Năng lượng Nguyên tử Việt Nam
2Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia TP Hồ Chí Minh
3Viện Công nghệ nano, Đại học Quốc gia TP Hồ Chí Minh
4Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội
5Trung tâm Công nghệ Sinh học TP Hồ Chí Minh
Ngày nhận bài: 15/07/2019; ngày chuyển phản biện: 18/07/2019; ngày nhận phản biện: 20/08/2019; ngày chấp nhận đăng: 26/08/2019
Tóm tắt:
Thăng giáng mật độ điện tử hiện diện khắp nơi trong dữ liệu cường độ tán xạ tia X góc nhỏ (SAXS) nhưng ảnh hưởng rất lớn và nghiêm trọng đối với các cấu trúc được ghi nhận ở vùng vector tán xạ góc lớn, bởi vì đóng góp của thăng giáng mật độ điện tử tại vùng này lớn hơn 90% tổng cường độ tán xạ. Vật liệu màng dẫn proton poly(ethylene-co-tetrafluoroethylene) ghép mạch poly(styrene sulfonic acid) (ETFE-PEM) chứa các cấu trúc vi mô với các kích thước khác nhau, gồm cấu trúc lamellar, cấu trúc vùng chuyển tiếp pha và cấu trúc vùng dẫn proton. Các cấu trúc này có mối quan hệ chặt chẽ với các tính chất của màng như tính dẫn proton, tính hấp thụ nước, độ bền cơ lý, độ bền hóa học, độ bền nhiệt và các tính chất khác nên có liên hệ với hiệu quả hoạt động và hiệu suất của pin nhiên liệu. Trong nghiên cứu này, các tác giả sử dụng mô hình Vonk bậc 6 (Vonk 6) để đánh giá thăng giáng mật độ điện tử ảnh hưởng đến các cấu trúc vừa nêu bằng phương pháp SAXS. Kết quả nghiên cứu cho thấy, thăng giáng mật độ điện tử ảnh hưởng mạnh đến bề dày vùng chuyển tiếp và cấu trúc vùng dẫn ion nhưng không đáng kể đối với cấu trúc lamellar.